JAN1N6108A

产品描述

Diode TVS Single Bi-Dir 9.1V 500W 2-Pin Case E

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规格书	1N6103A-1N6137A
XPackage	2E-Line
包装	2Case E
配置	Single
方向类型	Bi-Directional
峰值脉冲功率耗散	500 W
最大峰值脉冲电流	29.6 A
最大反向漏泄电流	20 uA
最大钳位电压	16.9 V
最大反向防区外电压	9.1 V
最小击穿电压	11.4 V
测试电流	100 mA
工作温度	-55 to 175 °C
安装	Through Hole
标准包装	Bulk
封装	Bulk
电压 - 钳位（最大） @ IPP	16.9V
安装类型	Through Hole
双向通道数	1
封装/外壳	B, Axial
供应商设备封装	Axial
电压 - 击穿（最小值）	11.4V
电压 - 反向隔离（标准值）	9.1V
应用范围	General Purpose
电源线保护	No
功率 - 峰值脉冲	500W
类型	Zener
其他名称	1086-2150
电流 - 峰值脉冲（ 10/1000μS ）	29.6A
RoHS指令	Contains lead / RoHS non-compliant
工厂包装数量	100
品牌	Microsemi
RoHS	No

型号	厂家	产品描述
JAN1N6108AUS	Microsemi	Diode TVS Single Bi-Dir 9.1V 500W 2-Pin E-MELF
JAN1N6108AUS	Semtech	Diode TVS Single Bi-Dir 9.1V 500W 2-Pin SMD
JAN1N6108	Semtech	Diode TVS Single Bi-Dir 9.1V 500W 2-Pin
JAN1N6108US	Semtech	Diode TVS Single Bi-Dir 9.1V 500W 2-Pin SMD
JAN1N1124A	Microsemi	Diode Switching 200V 3.3A 2-Pin DO-4
JAN1N1124AR	Microsemi	Diode Switching 200V 3.3A 2-Pin DO-4
JAN1N1124RA	microsemi	STANDARD RECTIFIER (TRR MORE THAN 500NS), DO-4, CO
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JAN1N1126AR	Microsemi	MILITARY SILICON POWER RECTIFIER
JAN1N1128A	microsemi	Diode Switching 600V 3.3A 2-Pin DO-4
JAN1N1128AR	Microsemi	Standard Rectifier
JAN1N1128RA	microsemi	Diode 600V 3.3A 2-Pin DO-4
JAN1N1186R	microsemi	Diode Switching 200V 35A 2-Pin DO-5
JAN1N1188	Microsemi	Diode Switching 400V 35A 2-Pin DO-5
JAN1N1188R	microsemi	Diode Switching 400V 35A 2-Pin DO-5
JAN1N1190	Microsemi	Diode Switching 600V 35A 2-Pin DO-5
JAN1N1190R	microsemi	Diode Switching 600V 35A 2-Pin DO-5
JAN1N1202A	microsemi	Diode Switching 200V 12A 2-Pin DO-4
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JAN1N1204A	microsemi	Diode Switching 400V 12A 2-Pin DO-4
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